Samsung Giới Thiệu Bộ Nhớ GDDR7 24GB Siêu Nhanh 42,5 Gbps Tại ISSCC 2025
Cho dù mô-đun GDDR7 42,5 Gbps có được tích hợp vào card đồ họa hay không thì đây vẫn là một bước đột phá về công nghệ đối với Samsung.
Samsung sẽ giới thiệu bộ nhớ GDDR7 siêu nhanh tại ISSCC, nhanh hơn khoảng 77 phần trăm so với GDDR6 hàng đầu
Các sự kiện đặc biệt của ISSCC sẽ diễn ra tại California từ ngày 16 tháng 2 đến ngày 20 tháng 2, tại San Francisco, nơi các nhà sản xuất chip sẽ giới thiệu các sản phẩm chủ lực của họ. Sự kiện sẽ bao gồm một sự kiện chuyên biệt "Bộ nhớ không bay hơi và DRAM" sẽ được tổ chức vào ngày 19 tháng 2. Mặc dù đây không phải là sự kiện công khai, nhưng lịch trình có sẵn cho công chúng trên trang web của ISSCC.
Tại sự kiện, Samsung sắp trình làng sản phẩm DRAM GDDR7 hàng đầu của mình, có thể chạy ở tốc độ khủng khiếp 42,5 Gbps. Đây sẽ là mô-đun 24 Gb hoặc 3GB hướng đến hiệu suất GDDR7 tốt nhất có thể, đồng thời cũng tiết kiệm điện hơn so với các thế hệ trước. DRAM GDDR7 đã nhanh hơn GDDR6 khá nhiều nhưng hiện tại, mô-đun 42,5 Gbps là quá cao để phát hành cho GPU.
Tuy nhiên, nó có thể xuất hiện trong các sản phẩm tương lai, chẳng hạn như card RTX 60 series của NVIDIA. Hiện tại, NVIDIA sẽ trang bị cho GPU Blackwell RTX 50 series của mình tới 28 Gbps mô-đun GDDR7. Tốc độ này đã cao hơn 4 Gbps so với tốc độ bộ nhớ GDDR6 24 Gbps hàng đầu hiện có trên RTX 4090. Tuy nhiên, tốc độ bộ nhớ 42,5 Gbps cao hơn khoảng 77% so với DRAM GDDR6 24 Gbps.
Hiện tại, GPU Blackwell GeForce RTX 5090 hàng đầu của NVIDIA sẽ sử dụng bộ nhớ 28 Gbps, có thể được cải thiện lên hơn 30 Gbps với các thế hệ tương lai, giống như chúng ta đã thấy sự phát triển của các mô-đun GDDR6. RTX 5090 được cho là sẽ có 32 GB bộ nhớ GDDR7 trên bus bộ nhớ 512 bit, tạo ra băng thông bộ nhớ 1,7-2,0 TB/giây. Con số này cao hơn RTX 4090 từ 1,7x đến 2,0x và về mặt lý thuyết, nếu VRAM trên RTX 5090 có thể đạt tới 42,5 Gbps, thì băng thông bộ nhớ sẽ đạt gần 2,5 Gbps.
Sự kiện ISSCC Nonvolatile and DRAM cũng sẽ có bài thuyết trình của SK Hynix, công ty sẽ giới thiệu chip nhớ 4D NAND 321 lớp hiện đại nhất hiện nay, vừa mới bước vào giai đoạn sản xuất hàng loạt.
Nguồn: Wccftech