SK Hynix Phát Triển DDR5 Thế Hệ Thứ 6 10nm Class Với Các Mô Đun DRAM 16GB Đầu Tiên Trên Thế Giới

Công nghệ 10nm có thể là một nút quy trình lỗi thời đối với CPU, nhưng đối với DRAM nó vẫn là công nghệ tiên tiến nhất. SK Hynix đã tuyên bố việc phát triển DRAM DDR5 thế hệ thứ 6 đầu tiên trên thế giới. Sản xuất hàng loạt được báo cáo là sẽ hoàn thành trong năm nay, trong khi nguồn cung sẽ bắt đầu vào năm tới.

DRAM DDR5 thế hệ thứ 6 của SK Hynix được gọi là "quy trình 1c" là một sự tiến hóa với nút quy trình 1b của hãng, được xây dựng trên công nghệ quang khắc 10nm. 1c là mô đun DRAM 16GB đầu tiên của SK Hynix được báo cáo là nhanh hơn 11% so với các thế hệ trước và tiết kiệm năng lượng hơn 9%. Nhờ hiệu suất năng lượng của các trung tâm dữ liệu có thể giảm tới 30%

SK Hynix cũng đã tăng năng lực sản xuất lên hơn 30% với DRAM DDR5 thế hệ thứ 6, nhờ vào vật liệu mới được áp dụng trong một số quy trình EVU và tối ưu hóa toàn bộ quy trình tương thích với EUV, giúp cải thiện hiệu quả về chi phí.

Công nghệ DRAM 10nm mới nhất của SK Hynix sẽ giúp các sản phẩm bộ nhớ của hãng duy trì tính cạnh tranh cho đến khi nhà sản xuất có thể chuyển sang các quy trình dày đặc hơn. SK Hynix được cho là đang nghiên cứu công nghệ DRAM 3D, công nghệ này sẽ cải thiện đáng kể mật độ của IC DRAM thế hệ tương lai so với các kiến trúc hiện tại và cuối cùng đưa công nghệ quang khắc DRAM của hãng xuống dưới 10nm.