SSD Lớn Hơn Và Rẻ Hơn Sắp Ra Mắt Nhờ Samsung

Sau khi ra mắt bộ nhớ flash V9 TLC NAND mới vào tháng 4, Samsung đã công bố sản xuất hàng loạt bộ nhớ flash V9 QLC thế hệ thứ 9 tiên tiến nhất. Phiên bản V9 có dung lượng lưu trữ lớn hơn đang được sản xuất hàng loạt theo các mẫu một terabit.

Samsung tiết lộ rằng bộ nhớ flash V9 QLC của hãng đang tận dụng công nghệ Channel Hole Etching để đạt được số lớp cao nhất trong ngành, với thiết kế double stack. Sử dụng những bài học kinh nghiệm từ biến thể TLC thế hệ thứ 9, V9 QLC có mật độ dày hơn khoảng 86% so với bộ nhớ flash QLC V-NAND thế hệ trước. Samsung cũng sử dụng công nghệ Designed Mold và công nghệ Predictive Program để tăng hiệu suất lưu trữ dữ liệu lên khoảng 20% ​​và tốc độ nhập/xuất dữ liệu lên 60%.

Tiêu thụ điện năng cũng đã giảm đáng kể nhờ một tính năng mà Samsung gọi là Thiết kế tiết kiệm điện năng. Kỹ thuật này làm giảm điện áp điều khiển các ô NAND bằng cách chỉ gửi các đường bit cần thiết, giảm mức tiêu thụ điện năng lần lượt là 30% và 50% cho việc đọc và ghi dữ liệu.

Samsung có kế hoạch mở rộng QLC thế hệ thứ 9 của mình vào nhiều sản phẩm khác nhau, từ SSD phổ thông đến bộ nhớ UFS trên điện thoại thông minh di động. Samsung cũng tuyên bố cụ thể rằng QLC sẽ có sẵn cho khách hàng là nhà cung cấp dịch vụ đám mây của mình dưới dạng SSD dựa trên máy chủ.