Leaker Digital Chat Station trên Weibo vừa chia sẻ thêm thông tin quan trọng về Snapdragon 8 Elite Gen 5. Cụ thể, phiên bản thử nghiệm trên Galaxy S26 Edge đạt xung nhịp lõi hiệu năng lên tới 4,74 GHz trên Geekbench 6, cao hơn mức 4,61 GHz được đồn trước đó. Các lõi tiết kiệm năng lượng bị giới hạn ở 3,63 GHz. Snapdragon 8 Elite Gen 5 vẫn giữ thiết kế cụm CPU ‘2 + 6’ tương tự như thế hệ tiền nhiệm.
Về GPU, Snapdragon 8 Elite Gen 5 được cho là sẽ đi kèm với Adreno 840, có xung nhịp mặc định 1,20 GHz – nhỉnh hơn so với 1,10 GHz của Adreno 830. Nhờ quy trình 3nm thế hệ ba của TSMC, Qualcomm có thể tự tin tăng tần số hoạt động. Tuy nhiên, liệu mức tăng này có thực sự tạo ra khác biệt trong hiệu năng thực tế hay không vẫn còn là câu hỏi. Theo tin đồn, con chip mới đã vượt mốc 4 triệu điểm trên AnTuTu.