Bộ Nhớ DDR6 CAMM2 Dự Kiến Ra Mắt 2027 Với Tốc Độ Lên Đến 17.600 MT/s

JEDEC đã chính thức hoàn tất bộ thông số kỹ thuật cho DDR6 vào năm 2024. Kể từ đó, nhiều hãng sản xuất bộ nhớ đã bắt tay vào phát triển thế hệ tiếp theo này. Dù DDR6 chưa sớm xuất hiện trên các nền tảng phổ thông, nhưng theo báo cáo từ CTEE, nhu cầu ngày càng tăng trong lĩnh vực điện toán hiệu năng cao (HPC) đang thúc đẩy các nhà sản xuất DRAM tăng tốc quá trình hoàn thiện tiêu chuẩn mới.

Theo báo cáo, các ông lớn như Samsung, Micron và SK Hynix đều đang tăng tốc phát triển bộ nhớ DDR6. Quá trình thử nghiệm và xác minh nền tảng dự kiến sẽ hoàn tất vào năm 2026, mở đường cho các máy chủ thế hệ mới sử dụng DDR6 ra mắt vào năm 2027. AMD, Intel và NVIDIA cũng được cho là đang hợp tác chặt chẽ với các nhà sản xuất DRAM để đẩy nhanh thời điểm thương mại hóa.

Về mặt kỹ thuật, DDR6 sẽ khởi đầu với tốc độ truyền cơ bản 8.800 MT/s, nhanh hơn 83% so với mức 4.800 MT/s của DDR5. Mức tốc độ tối đa có thể đạt tới 17.600 MT/s, cao hơn từ 70–80% so với các mô-đun DDR5 cao cấp hiện nay. Ngoài ra, DDR6 sẽ mang đến kiến trúc mới, 4 kênh 24-bit, thay vì 2 kênh 32-bit như trên DDR5, hứa hẹn cải thiện đáng kể băng thông và hiệu suất tổng thể.